Особенности работы с памятью типа 1645РТ

1. Пользователь должен сразу обратиться в службу технической поддержки после появления сообщения «Ошибка кода или параметра», в соответствии с пунктом 6 руководства пользователя на программу Prog_OPT2M. И не использовать микросхему в свое аппаратуре.

2. Пользователь должен использовать только один программатор, подключенный через USB к компьютеру, и запускать одну программу Prog_OPT2M. Нельзя одновременно подключать более одного программатора и запускать более одной программы.

3. Перед открытием файла с кодом, выполнением операции чтения, верификации или записи необходимо на закладке Установки выбрать режим микросхемы (8 или 16 - разрядный) и разрядность шины.

Примечание: Если пользователь запустил одновременно две программы Prog_OPT2M, в одной производил запись, а в другой, например, запустил чтение или верификацию, то это могло привести к появлению сообщения «Ошибка кода или параметра».

Какие возможные причины появления помех на сигнальных шинах?

Причиной появления помех на сигнальных шинах может стать разводка печатной платы, например, наличие большой ёмкости между шиной ALE и расположенными рядом проводниками или разводка шин питания, при которой при переключении сигнала ALE в них могут возникнуть помехи, которые, в свою очередь, приведут к появлению помех на выходах микросхемы БМК (шины адреса-данных).
При снижении температуры возрастают токи выходных буферов микросхем, что приводит к снижению длительности фронтов переключения и возрастанию уровней помех в шинах. При снижении температуры также увеличивается быстродействие микросхем, что приводит к более быстрому срабатыванию входных буферов и способствует защёлкиванию в регистрах помех, возникающих на входах.

Программатор и ПО для 1645РТ3 производят запись указанного файла в память без возможности модификации, за исключением задания разрядности микросхемы и ее положения при чередовании (то есть изменении разрядности системной шины).

Назначение технологических выводов при режимах микросхемы из Таблицы 2:

• Т0 - Отключение внутреннего LDO (Low = LDO_Off)
• T1 .. T4 - Реплики чтения, затрудняют чтение прошитого бита ("1").
• T7 - Отключение внутренней схемы накачки Upr (High = Pump_Off)

Прожиг бит происходит аналогично тому, как это описано в статье для микроконтроллера 1986ВЕ8Т - "Программирование OTP в 1986ВЕ8Т". Реплики задают порог напряжения, который разделяет логические уровни 0 и 1. Чтобы качественно прожечь канал в диэлектрике, надо чтобы "1" читалась с "трудом". Т.е. грубо говоря, репликами логический порог высокого уровня на ВАХ смещается выше к Ucc. Пока уровень в бите ниже данного порога, то бит читается как 0. Когда канал пробит надежно и сопротивление канала маленькое, то ячейка выдает высокий уровень уровень напряжения. Это означает что бит гарантированно запрограммирован в 1-цу. Изначально биты выдают ноль.

Напряжение питания в диапазоне 3,0В - 5,0В влияет только на работу входов-выходов. Внутренняя память работает от встроенного LDO которое выдает порядка 1,8В вне зависимости от уровня Ucc.

Чтобы прожечь бит на него надо подать повышенное напряжение, которое должно быть в диапазоне 7,0В .. 7,4В. Напряжение программирования (Upr) подается на ячейку на небольшой промежуток времени. Это воздействие и прожигает диэлектрик. Подавать напряжение можно до 256 раз, но как правило бит прожигается намного раньше. Напряжение Ucc в данном режиме должно быть в диапазоне 3,0В .. 5,0В.

Когда внешнее напряжение не доступно, то для формирования Upr используется внутренняя схема накачки. Схема накачки включается переводом сигнала на входе T7 в низкий уровень (Т7 = 0). При этом важно, чтобы было понижено напряжение питания, Ucc = 3,3В! (В 1986ВЕ8 для этого понижался уровень LDO).

Включение с программатором самое "жесткое". Здесь внутренний LDO отключается на время программирования. Вместо него используется напряжение с внешнего входа T8. Но если внутренний LDO формирует напряжение в 1,8В, то снаружи программатор подает 1,6В. Это максимально затрудняет чтение при записи, но зато дает максимум гарантии что все биты будут прошиты надежно. Важно, что LDO отключается только на время программирования. Верификация все-равно происходит при включенном внутреннем LDO!

В данном режиме так-же используется внутренняя схема накачки Upr, поэтому Т7 = 0.

Реплики затрудняют чтение прошитых бит при верификации. Если финальная верификация показывает соответствие прошитой информации, то программирование прошло успешно, если нет - то микросхема бракуется. В рабочем режиме реплики опускаются в стандартные значения, при которых чтение "1"-ц не затруднено. Поэтому считается что если верификация с репликами была пройдена, то при чтении информации искажений быть не может.